意法半导体(ST)新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2016-05-16
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  意法半导体最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。

  全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件,数据使用量连续快速增长,运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高,人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多。为应对这一挑战,意法半导体整合最先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT 8x8 HV封装技术,推出世界上功率密度最好的[1]功率晶体管解决方案。

  意法半导体的新系列功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管、击穿电压650V的各种超结功率MOSFET。包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内最好的软开关性能[2]在内的技术参数让新产品领先于竞争对手。

  意法半导体的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多种封装/击穿电压组合。

  如需了解更多详情,请访问:www.st.com/mdmeshdm2。

  关于意法半导体

  意法半导体(STMicroelectronics; ST)是全球领先的半导体公司,提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在,致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居,以及下一代移动和物联网产品。享受科技、享受生活,意法半导体主张科技引领智能生活(life.augmented)的理念。

  [1]功率密度指市电交流电源转成低压直流电源时的输出功率与体积的比值,能源浪费越少,同时尺寸越小,功率密度越高。

  [2]软开关是一种电源模式,在最适合的条件下使MOSFET控制管导通或关断,例如,当控制信号接近零时就是一个最适合的开关条件。


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:陈炳欣
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