海力士72 层3D NAND 内存传2017年领先全球量产

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2016-12-27
放大缩小

  SK 海力士最先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。

  若按计划进行,海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温,海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。

  随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破,但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存,至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

  据市调机构DRAMeXchange统计,三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元,市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居第二,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。


来源:MoneyDJ新闻            责任编辑:陈炳欣
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