Intel高级院士曝光自家10nm工艺:集成度比优于对手

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2017-01-04
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    台积电和三星纷纷量产10nm,而曾经作为半导体工艺技术龙头的Intel却动作迟缓,待在14nm上不肯动弹了,10nm目前看最快最快也得2018年下半年。

  那么,真的是Intel在技术上黔驴技穷了?

  显然不是。Intel在最新一期的半导体行业权威刊物《IEEE Spectrum》上撰文,畅谈了自己的10nm工艺,尤其是在技术、成本方面的巨大优势。

  Intel高级院士Mark Bohr表示,Intel 10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的Intel 14nm,还会优于其他公司的10nm,也就是集成度比他们更高,栅极间距将从14nm工艺的70nm缩小到54nm,逻辑单元则缩小46%,这比以往任何一代工艺进化都更激进。

  

Intel高级院士曝光自家10nm工艺:集成度比优于对手

  他说:“本代工艺和相关产品要传达的一个重要信息,就是希望能够打消行业对于摩尔定律将死的忧虑。”

  Intel在技术上的实力其实根本不用怀疑,那么是不是成本限制了10nm?Mark Bohr也谈到了这一点,明确表示Intel 10nm晶圆的整体成本确实会高于14nm,但是平均到每个晶体管上会更低。

  和每一代新工艺一样,10nm也能提高晶体管的运行速度,或者降低能耗,但更重要的显然是后者。

  Mark Bohr表示:“这些新工艺的首要目标确实是降低能耗,或者说提高能效,只有这样才能在服务器芯片内加入更多核心,或者在GPU内加入更多执行单元,然后才是降低晶体管成本。”

  目前,台积电、GlobalFoundries(AMD)、三星等都在积极筹划7nm,Intel的似乎还很遥远。

  Mark Bohr对此表示,如果从10nm过渡到7nm会花更长时间,那么最重要的就是想方设法增强已有技术,每年带来新产品。

  

Intel高级院士曝光自家10nm工艺:集成度比优于对手

  这似乎意味着,在未来至少五年左右的时间里,Intel仍会坚持当前的产品研发和发布策略,不会变的太激进。


来源:驱动之家            责任编辑:刘静
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