长江存储还将研发国产DRAM内存:直奔20/18nm工艺

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2017-04-13
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    紫光旗下的长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3D NAND闪存,预计2018-2019年间量产,2020年技术上有望赶超国际先进水平。解决了NAND芯片之后,长江存储下一步就要积极进军DRAM内存领域了,1月份开始担任长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在研发自己的DRAM制造技术,报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。

    高启全被称为台湾存储芯片之父,他之前担任过台湾知名DRAM芯片公司华亚科董事长及南亚总裁,去年被求贤若渴的紫光公司挖走担任全球副总,主管紫光旗下的存储芯片业务,今年1月份又担任了长江存储科技的执行副董,研发中国国产DRAM的消息就是他对外公布的。

    根据Digitimes报道,长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平,原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的,那么这个技术水平确实很先进了,虽然三星两年前就量产20nm工艺了,不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换,而18nm目前就只有三星一家大规模量产,其他两家还在准备中。

    除了自己研发之外,长江存储也欢迎国际合作,高启全称长江存储对与美光合作依然感兴趣,这会是双赢合作。长江存储将是美光最佳合作伙伴,与长江存储合作将进一步扩大美光与韩国公司的竞争力——美光公司最早就是紫光公司在存储芯片领域的合作目标,但限于美国的政策,紫光不论是收购股份还是双方投资合作都存在不确定性,现在来看紫光对美光的合作一直感兴趣,可惜美光方面是没法轻易接牌的。

    根据高启全所说,长江存储2017年内将会出样32层堆栈的3D NAND闪存,此外还在开发更先进的64层堆栈产品,他指出NAND方面长江存储只比主要NAND供应商落后一代技术。

    长江存储将在中国武汉、南京建设两座晶圆厂,每家晶圆厂的产能都达到了每月30万片12英寸晶圆。

    高启全指出在技术成熟之前长江存储科技研发的产品并不会进入生产阶段,而且长江存储无意破坏存储市场的价格——也就是说长江存储不打算走中国厂商的老路,那就是通过价格战去抢占市场。

    清华紫光持有长江存储科技51%的股份,其他股份在中国大基金、湖北集成电路投资基金及湖北科技投资基金手里。


来源:中国电子网            责任编辑:邓聪
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