三星64层256GB V-NAND闪存已进入量产

 中国电子报、电子信息产业网  作者:
发布时间:2017-06-19
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    三星电子15日宣布,最新64层256GB V-NAND闪存已进入量产,与此同时,三星还将扩展包含服务器、PC与行动装置的储存解决方案。

  64层V-NAND闪存用称为第四代V-NAND芯片,南韩ITtimes报导指出,三星为稳固领先优势,打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。

  其实,三星今年1月已先为某关键客户,打造第一颗内含64层V-NAND芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用,务求与IT产业同步化。

  三星64层V-NAND闪存传输速度达每秒1Gb,市面上同类型内存产品中无人能出其右。若与48层产品相比,64层闪存的省电效能约高出三成,可靠性则增加约两城。

  三星目前是NAND龙头,2016年市占率为36%,在第四代NAND芯片量产后,三星可能陆续调降第二、三代芯片价格,除可进一步扩大市占外,还将对美光、东芝、Western Digital等同业造成降价压力。


来源:精实新闻            责任编辑:赵晨
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