半导体

最新InnoSwitch3系列 可使适配器更轻薄

作者:刘季辰来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-10-12 我要评论

  9月13日高能效电源转换的高压集成电路研发企业——Power Integrations公司发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。

  对于电子产品适配器,尤其是具有快充功能的充电器而言,散热是终端产品厂商和用户最为关心的,一方面散热较差的适配器,在通电时温度较高,容易让用户对产品安全性提出质疑。另一方面电源的工作效率对产品本身的寿命有很大的影响。

  通常情况下,厂商会安装散热片,来应对这一问题,但电源的成本、大小、重量难以降低,如今适配器小型化与快速充电已成并行趋势,其中效率是电源设计中一个非常重要的指标,新器件InnoSwitch3应运而生。

  由于InnoSwitch3在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,并且可以计设出无散热片的紧凑型65 W电源,产品更小、更轻。

  记者注意到,PI公司上一代产品的效率是92%,如此小的变化,能带来多大改变呢?Power Integrations产品总监Shyam Dujari指出,效率上的一小步,是电源提升的一大步,以19V输出的45W电源为例,如果以满载时转换效率为87%的电源适配器为标准,当效率提升到90%时,从散热角度来考虑的话,电源适配器的体积只需要原来适配器的67%大小;而效率提升到92%时,其体积只有原来的48%大小。

  PI高级应用工程师/实验室经理阎金光指出,将效率增加了2%;散出的热量只有2.7W,散热表面积可以缩小到48%,体积可以缩小到30%,而上一代热能为3.6,散热表面积0.62,体积0.48。此外InnoSwitch3器件适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源,特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源。第一代InnoSwitch3其线路简单、元件数目少且高效的特性为业界所认可,并在众多品牌小体积适配器设计中得到了广泛应用。

  新产品不仅能使企业生产出更轻便的适配器,而且还能节约成本。Shyam Dujari和阎金光均表示,鉴于InnoSwitch3的高效率,生产企业可借此,在不降低产品可靠性的情况下进行的成本优化。举例来说,可采用规格更低,成本更低的元器件,进而以更低的成本满足世界范围内各种能效法规的效率要求。

  InnoSwitch3 IC产品系列针对三种特定应用提供三种版本:

  CE:外部电流。采用外部输出电流检测,可提供精确的恒流/恒压调整率,从而提高设计灵活性。适合仅有单一输出电压的紧凑型充电器、适配器、物联网和楼宇自动化应用。

  CP:恒定功率。适合USB功率传输(PD)、快速充电以及其他要求具有动态输出电压的应用。

  EP:嵌入式电源。集成了该系列额定电压最高的MOSFET (725 V),可提供全面的输入电压及负载保护,并且具有出色的多路输出交叉调整率,适合要求严苛的工业控制及家电应用。

  这些最新的反激式开关电源IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术 —— FluxLink™,此外还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源电路,并且无需光耦器。

  InnoSwitch3器件已通过CCC、UL和VDE安全认证,可安全地跨接于隔离带。InSOP™-24封装可提供高效散热的超薄型适配器方案,并且初级侧与次级侧具有更宽的11.5 mm爬电距离和电气间隙,可靠性更高,抗浪涌及ESD能力更强。中国对电源有一个在5000米海拔高度要求爬电距离大于9.45mm的要求,使用InSOP™-24封装可轻松满足这一要求

  新器件还集成了完善的保护特性,包括无损耗输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。

  此外,新IC还提供子系列器件,根据每种目标应用空间的典型要求可选择锁存或自动恢复功能。所有InnoSwitch3 IC均集成了高压MOSFET(CP和CE系列采用650 V额定电压MOSFET,EP系列采用725 V额定电压MOSFET)。

  Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示:“InnoSwitch3 IC为反激式电源设计带来了最新、最先进的技术方案。与我们之前效率极高的InnoSwitch产品相比,这些新器件的效率更胜一筹,可进一步将损耗降低25%,在任何输入电压及负载条件下均提供一致的高效性能。InnoSwitch3 IC方案具有系统极为简单和元件数少的特点,可实现超紧凑的高可靠性电源,且应用范围十分广泛。”


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:陈炳欣

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