半导体

4纳米大战 三星抢先用EUV、拥抱GAAFET

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MoneyDJ新闻

来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-12-04 我要评论

  晶圆代工之战,7纳米制程预料由台积电胜出,4纳米之战仍在激烈厮杀。外媒称,三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备,又投入研发能取代“鳍式场效电晶体”(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。

  Android Authority报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的EUV,才能准确刻蚀电路图。5纳米以下制程,EUV是必备工具。三星明年生产7纳米时,就会率先采用EUV,这有如让三星在6纳米以下的竞赛抢先起跑,可望加快发展速度。

  相较之下,台积电和格芯(GlobalFoundries、原名格罗方德)的第一代7纳米制程,仍会使用传统的浸润式微影技术,第二代才会使用EUV。

  制程微缩除了需拥抱EUV,也需开发FinFET技术接班人。电晶体运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过,不过芯片越做越小,电流通道宽度不断变窄,难以控制电流方向,未来FinFET恐怕不敷使用,不少人认为“闸极全环场效电晶体”(Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解决方案。

  今年稍早,三星、格芯和IBM携手,发布全球首见的5纳米晶圆技术,采用EUV和GAAFET技术。三星路径图也估计,FinFET难以在5纳米之后使用,4纳米将采用GAAFET。尽管晶圆代工研发不易,容易遇上挫折延误,不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示,计划最快在2020年生产4纳米,进度超乎同业,也许有望胜出。


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:顾鸿儒

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