半导体

华虹宏力eNVM再展技术优势,90纳米低功耗平台获权威认可

作者:诸玲珍来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2018-05-11 我要评论

  芯片是时下热议的焦点,其国产化进程也颇受瞩目。华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司的90纳米低功耗(LP)嵌入式闪存工艺,以高性能、高可靠性及高集成度实现了高端智能卡芯片的国产化。凭借该工艺,他们在日前于深圳举办的第六届中国电子信息博览会(CITE2018)上,荣获组委会颁发的金奖。作为嵌入式非易失性存储器制造工艺技术方面的专家,华虹宏力获得该奖项当之无愧。

  嵌入式非易失性存储器领域一路领先

  “炼独门绝技,占行业高地”,这在高科技产业尤其适用。华虹宏力在嵌入式非易失性存储器(eNVM)领域一直保持着业界领先地位,从0.13微米、0.11微米、90纳米一路进行技术升级创新。华虹宏力推出的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台,以其尺寸小、功耗低、性能高的特点,具有很强的市场竞争优势,推动了新一代应用的快速发展。

  华虹宏力的90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台,是国内最先进的200mm晶圆嵌入式存储器技术,可与标准逻辑工艺完全兼容;在确保高性能和高可靠性的基础上,提供了极小面积的低功耗Flash IP,且具有极高集成度的基本单元库,与0.11微米eFlash工艺相比,门密度提升30%以上;其创新的译码电路、电荷泵电路及灵敏放大器电路,使得嵌入式存储器IP性能提高30%以上,功耗降低30%以上。

  

  华虹宏力90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台研发团队

  据该平台研发团队负责人李冰寒博士介绍,该生产工艺充分利用了机台极限能力,IP设计与生产工艺进行了完美结合,无需额外工艺成本,在同一芯片中整合Flash与EEPROM,在面积大幅度减小的情况下,大大提升了产品的集成度,极具国际竞争力,实现了高端嵌入式闪存系列产品国产化。“再加上光罩成本优势,华虹宏力能够为SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和金融IC卡安全芯片产品以及机顶盒、网络设备及物联网设备领域的MCU产品提供高性价比的芯片制造技术解决方案。”李冰寒表示。

  专利为技术提供强大支撑

  企业若想取得长远发展,必须长期坚持创新研发,打造自主知识产权,华虹宏力深谙这个道理。

  华虹宏力90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台具有高度自主知识产权,已累计获得国内发明专利授权多达70件,且有32件国内发明专利正在申请中;同时获得美国专利授权达20件,且有3件美国发明专利正在申请中。如此庞大的专利群,为技术的知识产权累积提供了强大的支撑。这些专利涵盖工艺、设计等,在多个方面均有创新,达到国内领先水平。

  而来自公司客户的反馈,也印证了在华虹宏力90纳米低功耗嵌入式闪存工艺平台上生产的芯片产品面积显著减小,性能稳定可靠,并具有低功耗的特点,为芯片制造提供了极具性价比的技术解决方案。

  嵌入式闪存工艺平台未来市场前景可期

  华虹宏力自2016年宣布90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产后,采用该工艺生产的产品产值短期内就已达到近200万元,并以极快的增速扩大产值,2017年第一季度的销售额已超过了2016年全年,而2017年全年的销售额更是2016年的80多倍。据悉,该技术累计产值已超过670万美元。而业内人士预测,未来基于该工艺生产的芯片产品市场前景可观,经济效益显著。

  华虹宏力打破国外大厂垄断,实现了高性能、高可靠性的智能卡等安全芯片的设计和生产制造国产化,为我国集成电路产业的自主知识产权体系添砖加瓦,这是国内集成电路企业肩负的使命。李冰寒博士说,“我们将不断研发创新,坚持深耕嵌入式存储器技术,助力公司持续领航智能IC卡芯片制造领域,并发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”

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