半导体

“AOS 功率半导体技术交流论坛”产研结合打造创新“发动机”

作者:顾鸿儒来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2018-05-30 我要评论

  

  随着先进轨道交通装备、新能源汽车、自动驾驶、高档数控机床等领域的迅猛发展,功率半导体的重要性越发凸显.。作为国际上功率半导体领域的知名企业,AOS万国半导体产品线涵盖IGBT、MOSFET、POWER IC等,并凭借多年来积累的先进技术和成熟产品享誉业内。为了更好地介绍功率半导体的技术前沿,特别是SiC/GaN的最新进展,阐述行业发展趋势,助推产业发展,AOS万国半导体将于2018年6月1日在重庆召开“AOS 技术交流高峰论坛”,强大的嘉宾阵容,全面的行业分析,诚邀产、资、学、研等各界专家、企业参加,深入研讨行业热点,全面分析需求环境。

  本次论坛同时将会举行重庆万国半导体的设备搬入开工仪式,为打造重庆市第一家集芯片制造、芯片封装、测试为一体的半导体生产制造企业迈出第一步,同时重庆市领导将会出席本次开工仪式。

  在开工仪式后,本次“高峰论坛”组委会特别邀请的嘉宾-IGBT发明人B.Jayant Baliga教授将会发表名为“IGBT的前生和未来”的专题演讲,分享IGBT的起源,展望未来发展趋势。作为国际知名科学家以及IGBT领域中的权威人物,B.Jayant Baliga教授目前已有120多项相关专利,多次获得IEEE Newell奖、IEEE Morris N. Liebmann纪念奖、IEEE JJ Ebers以及IEEE Lamme奖,目前已成为印度国家工程院院士、欧洲科学院院士以及IEEE院士。在IGBT领域中,凭借多年的研究经验,B.Jayant Baliga在2016年被纳入国家发明家名人堂。

  与此同时,本次组委会还将邀请美国伦斯勒理工学院终身教授T.Paul Chow莅临现场,并作题为“宽禁带应用技术”的主题演讲。作为美国NSF功率电力电子系统中心的研究主任,T.Paul Chou已成为半导体功率器件和智能功率电路领域的先驱,目前已有150多篇高影响力的学术论文。此次,T.Paul Chou应邀参加AOS 技术交流高峰论坛,与业内人士共同商讨IGBT等功率半导体技术的进步,探究随着智能化、集成化和小型化的发展趋势,未来功率半导体的发展方向以及发展机遇。

  此外,本次论坛AOS万国半导体IGBT产品线副总裁Dr.Madhur Bobde 将发表题为“MOSFET/IGBT技术分享”的专题演讲,讲解AOS万国半导体的MOSFET/IGBT技术;AOS万国半导体IGBT产品线副总裁Dr.Bum-Seok Suh将发表题为“AOS IGBT解决方案”的主题演讲;AOS万国半导体产品资深总监Dr.David Sheridan 将发表题为“AOS Wide-Band 宽禁带应用技术”的主题演讲;AOS Mosfet&TVS市场部副总Lei Feng以及应用技术总监刘松将就MOSFET及TVS相关主题就行技术交流讨论。届时各位知名人士将为观众提供一场视听盛宴,巅峰论坛,大咖云集,更多精彩内容详情请参后续报道。

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